Samsung Foundry nhận cú hích lớn khi AMD chọn nhà máy Taylor làm đối tác sản xuất đế HBM thế hệ mới

Một báo cáo mới cho biết bộ phận đúc bán dẫn của Samsung cuối cùng cũng có thể thở phào nhẹ nhõm khi mảng xưởng đúc của gã khổng lồ Hàn Quốc đã bắt tay với AMD để sản xuất hàng loạt các đế cơ sở cho bộ nhớ băng thông cao (HBM) tiên tiến dành cho nhà sản xuất bộ vi xử lý này. Mặc dù thỏa thuận này chưa đạt mức doanh thu khổng lồ như việc ký hợp đồng với NVIDIA, Samsung vẫn đang tiến những bước nhỏ để đảm bảo các tiến trình tiên tiến của họ bắt nhịp kịp thời.

Samsung khởi công nhà máy Taylor thứ hai khi AMD bước vào còn NVIDIA vẫn chưa hé lộ

Các nguồn tin quen thuộc với vấn đề này đã thông báo với tờ Maeil Business Newspaper rằng AMD chiếm gần như toàn bộ công suất sản xuất được phân bổ của Taylor Fab 2, khiến cơ sở sắp tới này hầu như không còn dư địa để đáp ứng các nhu cầu ban đầu khác. Việc đảm bảo một cam kết quy mô lớn như vậy đánh dấu một chiến thắng không thể phủ nhận đối với Samsung, đơn vị trước đó từng giành được hợp đồng cung cấp linh kiện ô tô với Tesla cho cơ sở Taylor ban đầu của họ.

Dưới mối quan hệ đối tác mới được thiết lập này, Samsung có kế hoạch chế tạo các đế logic cơ sở tại Texas trước khi liên kết chúng với DRAM được sản xuất tại các nhà máy bộ nhớ trong nước ở Hàn Quốc để cung cấp các cụm HBM hoàn chỉnh. Về mặt nhu cầu, con số này tương xứng với quy mô của Taylor Fab 2, được cho là có diện tích lên tới 2,7 triệu feet vuông.

Fab 2 cũng lớn hơn khoảng 1,5 lần so với cơ sở Taylor đầu tiên. Báo cáo cũng đề cập rằng công tác chuẩn bị mặt bằng đã hoàn tất, với việc thi công kết cấu cốt lõi bắt đầu ngay lập tức. Samsung đặt mục tiêu chuyển thiết bị vào nhà máy trước tháng 2 năm 2029, mở đường cho việc sản xuất thương mại hàng loạt vào năm 2030 trên tiến trình 2nm chủ lực của họ. Nhìn vào cách AMD hợp lực với Samsung, chắc chỉ còn là vấn đề thời gian trước khi NVIDIA có tên trong danh sách, phải không?

Không hẳn vậy, vì NVIDIA dường như có các mục tiêu khác nhau. Theo một báo cáo trước đây, nhà sản xuất GPU AI này đã mạnh mẽ thúc giục các đối tác bộ nhớ của mình, bao gồm Samsung, SK hynix và Micron, tiêu chuẩn hóa toàn bộ quá trình sản xuất đế NVHBM tùy chỉnh thông qua TSMC. Bằng cách hình thành liên minh tập thể này, NVIDIA có thể triển khai một kiến trúc bộ điều khiển bộ nhớ thống nhất duy nhất, loại bỏ sự khác biệt về độ trễ, sự chênh lệch nhiệt độ và khoảng cách hiệu năng vốn chắc chắn sẽ xuất hiện khi sử dụng nhiều xưởng đúc bán dẫn khác nhau.

NVIDIA sẽ không phải chịu đựng các bước xác thực không cần thiết phát sinh từ việc mua lại các mẫu từ các nhà sản xuất DRAM khác nhau, giúp việc triển khai công nghệ NVHBM thành công trở nên ít đau đầu hơn. Tuy nhiên, trở ngại này vẫn không ngăn cản Samsung theo đuổi các mục tiêu riêng của mình, vì công ty hiện đang thử nghiệm và xác thực các quy trình xưởng đúc độc quyền của riêng mình để chứng minh rằng họ có thể xử lý các đế cơ sở NVHBM.

May mắn thay, bằng cách chuyển sang phát triển đế cơ sở HBM, Samsung được cho là đã giải phóng các nguồn lực 2nm giúp họ có thể tập trung vào các công nghệ khác nhau như modem Exynos 5G thế hệ tiếp theo và các giải pháp tương lai với AMD. Chúng tôi đã liên hệ với Samsung để đưa ra bình luận, nhưng giả sử những tin đồn kết hợp mới nhất là sự thật, gã khổng lồ xưởng đúc cuối cùng cũng có thể thở phào nhẹ nhõm.