CXMT chuẩn bị sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM3E vào cuối năm 2026
Hãng sản xuất bộ nhớ Trung Quốc CXMT chuẩn bị bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt dòng RAM HBM3E đầu tiên của mình. Tuy nhiên, công ty vẫn đang đối mặt với nhiều khó khăn lớn về tỷ lệ thành phẩm do hạn chế trong công nghệ đóng gói.

CXMT được kỳ vọng sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt dòng bộ nhớ HBM đầu tiên dưới định dạng HBM3E. Theo một báo cáo độc quyền từ Reuters, quá trình sản xuất hàng loạt này dự kiến sẽ bắt đầu trong vòng hai tháng tới, đồng nghĩa với việc CXMT sẽ chính thức khởi động trước cuối năm. Quay lại hồi tháng 8, CXMT đã bắt đầu sản xuất thử nghiệm rủi ro cho bộ nhớ HBM3E. Tuy nhiên, công ty vẫn đang vật lộn với tỷ lệ thành phẩm của các mô-đun bộ nhớ HBM3E, và tình trạng này hiện vẫn tương tự theo báo cáo mới nhất.
Mặc dù chúng ta chưa có thông tin chi tiết về hiệu năng, dữ liệu chính thức của JEDEC dành cho HBM3E chỉ ra độ rộng bus 1.024-bit và tốc độ dao động từ 9,2 Gbps mỗi chân pin đến 12,4 Gbps, với hầu hết các cấu hình chuẩn nhắm đến mức 9,6 Gbps mỗi chân pin. Băng thông tổng thể đạt khoảng 1,2 TB/s và dung lượng dao động từ 24 GB sử dụng cấu trúc xếp chồng 8 tầng cho đến 36 GB sử dụng cấu trúc xếp chồng 12 tầng các lớp dung lượng 24 Gb.
Thách thức lớn nhất của CXMT nằm ở độ chín muồi của công nghệ qua lỗ xuyên silicon (TSV) mà hãng đang áp dụng. Trong quá trình sản xuất front-end (tiền kỳ), CXMT đạt tỷ lệ thành phẩm khoảng 30%, trong khi công đoạn xử lý back-end (hậu kỳ) bổ sung thêm khoảng 70% trên nền 30% ban đầu. Ví dụ, Samsung sử dụng khoảng 5.000 TSV mỗi lớp trên HBM2 và SK hynix sử dụng hơn 8.000 TSV mỗi lớp trên dòng HBM3 của họ. Tuy nhiên, dữ liệu cho thấy CXMT đang cố gắng đạt được HBM3E chỉ với 3.000 TSV mỗi lớp và đang tìm cách đóng gói 8 lớp vào cấu hình HBM3E 8 tầng thông thường. Với những thách thức này, công ty khó có thể chuyển đổi sang dòng HBM 12 tầng có dung lượng cao hơn trong ngắn hạn khi hãng vẫn phải giải quyết các vấn đề kỹ thuật.
Các nguồn tin thân cận với Reuters cho biết hiệu năng của HBM3E do CXMT sản xuất tiệm cận với dòng HBM3 thế hệ trước của SK hynix hơn là dòng HBM3E của hãng này. CXMT đã bắt đầu gửi cho khách hàng hai phiên bản HBM3E: một phiên bản thiết kế chuẩn và một phiên bản cập nhật với các thay đổi nhằm cải thiện tỷ lệ thành phẩm, vốn được cho là chỉ đạt 20%. Tuy nhiên, tỷ lệ thành phẩm thấp vẫn có thể chấp nhận được vào thời điểm hiện tại khi công ty tiếp tục cải thiện các dây chuyền sản xuất và tinh chỉnh quy trình chế tạo, trong khi các nhà sản xuất chip nội địa đang rất khát bộ nhớ HBM.
Nguồn: TechPowerUp · Bản dịch tiếng Việt của VGSNews, chỉ để tham khảo.