Tesla rót 830 triệu USD cho Samsung để đảm bảo nguồn cung linh kiện AI

NVIDIA và Tesla sẽ đầu tư gần 3 tỷ USD vào Samsung để phát triển các lớp đế (substrate) dành cho chip trí tuệ nhân tạo. Công nghệ này có tên gọi là Flip Chip-Ball Grid Array (FC-BGA), lật ngược phần die và kết nối nó với lớp đế trong gói vi mạch thông qua các bướu hàn. Công nghệ này cải thiện đáng kể hiệu năng so với các công nghệ truyền thống như Plastic Ball Grid Array (PBGA). Báo cáo từ Maekyung cho biết hai hãng đã bày tỏ sự quan tâm vì công nghệ này được dự đoán là nút thắt cổ chai tiếp theo trong chuỗi cung ứng AI.

Tesla đẩy mạnh hợp tác với Samsung để phát triển robot hình người Optimus

Trong gói vi mạch dạng chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS), công nghệ FC-BGA đóng vai trò then chốt. Gói CoWoS là bước cuối cùng trong quá trình lắp ráp chip AI trước khi nó sẵn sàng được gắn vào bên trong máy tính để bắt đầu hoạt động. Nó tích hợp nhiều thành phần, chẳng hạn như GPU và bộ nhớ bên trong một gói vi mạch duy nhất.

Gói này chủ yếu được tạo thành từ ba lớp. Trên cùng của hệ thống là GPU hoặc CPU được tích hợp với bộ nhớ băng thông cao (HBM). Chồng này nằm trên một lớp trung gian (interposer), thường được làm bằng một miếng silicon lớn hoặc các miếng gốm hoặc polymer nhỏ hơn có các đường dẫn kim loại gọi là RDL.

Ở dưới cùng của chồng là lớp Flip Chip-Ball Grid Array, hay (FC-BGA). Vai trò của lớp trung gian trong gói vi mạch là đảm bảo các tín hiệu truyền đi giữa GPU/CPU và các chip nhớ. Tuy nhiên, lớp trung gian không thể giao tiếp với bo mạch chủ, và vì mục đích này, gói vi mạch đòi hỏi phải có một lớp đế.

Trong cấu hình FC-BGA, phần trên của gói được kết nối với lớp đế thông qua các bướu hàn. So với các công nghệ khác thường dựa vào dây nối, phương pháp này làm giảm điện trở và cải thiện năng lực truyền dẫn.

Giờ đây, theo báo cáo từ Maekyung, Tesla và NVIDIA đã cùng nhau trả cho Samsung khoản tiền khổng lồ 2,8 tỷ USD để phát triển năng lực cho công nghệ đóng gói FC-BGA. Phần lớn hóa đơn do NVIDIA chi trả với mức 2 tỷ USD trong khi phần của Tesla là 830 triệu USD.

Lý do đằng sau khoản đầu tư lớn này là mối lo ngại rằng lớp đế FC-BGA (cầu nối đưa dữ liệu từ chip xuống phía dưới) dự kiến sẽ là lĩnh vực thiếu hụt tiếp theo trong chuỗi cung ứng chất bán dẫn do nhu cầu về chip AI.

Theo các chi tiết, sự hợp tác của Tesla với Samsung cho phép hãng sau mở rộng nhà máy Sejong. Cơ sở này dự kiến sẽ hoàn thành việc xây dựng và đi vào sản xuất vào nửa cuối năm 2028 và bắt đầu cung cấp các sản phẩm cho Tesla vào năm 2029. Tổng đầu tư của Samsung vào cơ sở này là 4,27 nghìn tỷ won, trong khi Tesla thanh toán hóa đơn là 1,1 nghìn tỷ won, tương đương 830 triệu USD.

Hợp đồng của Samsung với Tesla kéo dài trong 5 năm và dự kiến sẽ đảm bảo cho Tesla nguồn cung các lớp đế cho các phương tiện tự lái và robot hình người. Đồng thời, gánh nặng cho Samsung trong việc phát triển cơ sở này đã giảm bớt, báo cáo cho biết, đồng thời thảo luận về khả năng sử dụng công nghệ FC-BGA cho con chip A15 của Tesla.