VGS - Vietnam Gaming Setup · Đăng ký bài thi, tích điểm bài đăng, leo top ranking, nhận quà liền tay

Tin công nghệ › Phần cứng

Qualcomm bác bỏ tin đồn Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 bị quá nhiệt

Giám đốc Marketing Qualcomm, Don McGuire, đã lên tiếng phủ nhận thông tin cho rằng Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 gặp lỗi quá nhiệt và sụt giảm hiệu năng. Tuy nhiên, bài đính chính của ông chỉ nhắc đến bản tiêu chuẩn thay vì phiên bản cao cấp, khiến cộng đồng không khỏi hoang mang.

Wccftech16:15 17/10/20263 phút đọc

Ảnh: Wccftech

Các bài kiểm tra nội bộ của Samsung dường như tiết lộ rằng Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 gặp phải các vấn đề về quá nhiệt, khiến hiệu năng duy trì giảm sút đáng kể, mặc dù không có kết quả nào được chia sẻ từ báo cáo ban đầu. Giữa lùm xùm này, Giám đốc Marketing của Qualcomm, Don McGuire, đã đưa ra lời đính chính, tuyên bố rằng các cáo buộc trên là sai sự thật, nhưng bài đăng mới nhất của ông lại đặt ra nhiều câu hỏi hơn là câu trả lời.

Bài đăng mới trên X chỉ đề cập đến Snapdragon 8 Elite Gen 6 tiêu chuẩn, không phải bản flagship Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6

Don McGuire ngay lập tức lên tiếng bảo vệ Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 và đề cập trong một bài trả lời Jason C. trên X rằng các nhà sản xuất thiết bị gốc luôn liên tục tinh chỉnh nền tảng của họ khi ra mắt sản phẩm. Mặc dù sếp marketing của Qualcomm có thể đang đề cập đến việc các thử nghiệm nội bộ của Samsung để Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 chạy ở giới hạn công suất tối đa, dẫn đến hiện tượng điều tiết nhiệt, nhưng ông lại không nêu cụ thể tên chính xác của chipset trong bài đăng của mình.

Thay vào đó, ông nhắc đến Snapdragon 8 Elite Gen 6 mà bỏ qua hậu tố Extreme, điều này rõ ràng gửi đi thông điệp sai lệch về SoC đầu bảng của Qualcomm. Mặc dù có rất nhiều điểm tương đồng giữa hai SoC 2nm này, Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 có thể được tinh chỉnh để đạt tốc độ xung nhịp quảng cáo 5.00GHz bằng cách đẩy giới hạn công suất lên cao hơn. Để hỗ trợ hiệu năng duy trì, Qualcomm không chỉ chuyển sang tiến trình 2nm của TSMC mà còn áp dụng kiểu đóng gói Offset PoP.

Đối với những ai chưa biết, Offset PoP đặt một bộ tản nhiệt lên trên đế DRAM, dịch chuyển nó ra xa một chút khỏi tấm silicon thay vì đặt trực tiếp lên trên, giúp cải thiện hiệu năng duy trì của Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. Trong một thử nghiệm trước đó, một thiết bị mẫu mất 15 phút để đạt ngưỡng nhiệt độ tối đa, nhờ vào thiết kế đóng gói được cải tiến, dài hơn gấp đôi so với các thiết bị trang bị Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Trong báo cáo trước, chúng tôi lưu ý rằng do các cáo buộc bắt nguồn từ một trang tin Hàn Quốc, có thể việc hạ thấp Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 là một phần trong chiến dịch rộng lớn hơn nhằm tô hồng cho Samsung và con chip Exynos 2700 của hãng. Rốt cuộc, flagship 2nm của chính công ty dự kiến sẽ được công bố trước khi năm 2026 kết thúc, và không có cơ hội nào tốt hơn lúc này để duy trì sức hút.

Như một phần trách nhiệm xác thực thông tin, chúng tôi đã phản hồi bài đăng của Don McGuire trên X, hỏi xem ông đang nhắc đến Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 hay Snapdragon 8 Elite Gen 6 bản thường. Khi có thêm chi tiết, chúng tôi sẽ chuyển mọi thông tin liên quan đến bạn đọc, vì vậy hãy tiếp tục theo dõi.

🔗 Bài gốc (tiếng Anh): Qualcomm’s Marketing Head Says Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 Overheating Claims Are “100% NOT accurate,” But One Detail From His Post Doesn’t Exude Confidence
Nguồn: Wccftech · Bản dịch tiếng Việt của VGSNews, chỉ để tham khảo.
FacebookTelegramX← Tin khác