NVIDIA buộc Samsung và TSMC "bắt tay" sản xuất bộ nhớ NVHBM tùy chỉnh trên tiến trình 3nm

Samsung thường áp dụng phương pháp "trọn gói" (turnkey) khi phát triển các lớp lõi và lớp đế của HBM, nhưng theo báo cáo mới nhất, dòng NVHBM tùy chỉnh của NVIDIA đòi hỏi một quy trình sản xuất hợp lý hơn, liên quan đến cả Samsung và TSMC. Cả hai hãng dường như đã hợp lực để phát triển lớp đế trên tiến trình 3nm, với mục tiêu cuối cùng là tạo ra một sản phẩm được chuẩn hóa, đòi hỏi ít bước kiểm tra chất lượng hơn.

Micron và SK Hynix cũng đã tham gia cùng Samsung để đạt được mục đích tương tự, vì NVIDIA hướng tới việc thu được hiệu suất đồng 2hất bằng cách áp dụng một quy trình sản xuất duy nhất.

Vì các dòng GPU Feyman đã được nhắc đến là sẽ sử dụng HBM tùy chỉnh, NVIDIA cũng hứa hẹn rằng giải pháp 'cây nhà lá vườn' này có thể mang lại băng thông bộ nhớ cao hơn tới 30% so với HBM4E tiêu chuẩn, đồng thời tiêu thụ ít hơn tới 15% công suất điện năng. Tuy nhiên, để đạt được những ưu thế này, NVIDIA phải đảm bảo tính chuẩn hóa giữa các nhà sản xuất bộ nhớ, đó là lý do hãng sản xuất GPU này được cho là đã yêu cầu Samsung, Micron và SK Hynix sản xuất lớp đế của NVHBM trên tiến trình 3nm của TSMC.

Ngoài ra, lớp lõi cần phải dựa trên quy trình DRAM thế hệ thứ sáu, còn được gọi là 1c. Động lực đằng sau việc kéo tất cả các