Tin công nghệ › Phần cứng

Micron hé lộ lộ trình RAM và NAND thế hệ mới: DDR6 gấp đôi băng thông, LPDDR6 siêu tiết kiệm điện

Micron vừa công bố lộ trình công nghệ bộ nhớ thế hệ mới với RAM DDR6 mang lại băng thông gấp đôi DDR5 và LPDDR6 tiết kiệm điện hơn 35%. Hãng cũng đang phát triển các giải pháp HBM xếp chồng theo chiều dọc và chip NAND G11 vượt mốc 400 lớp.

Wccftech04:00 22/10/20262 phút đọc

Ảnh: Wccftech

Micron vừa tổ chức buổi thuyết trình giới thiệu các dòng sản phẩm DRAM và NAND thế hệ tiếp theo, chuẩn bị cung cấp năng lượng cho các giải pháp máy khách lẫn doanh nghiệp trong kỷ nguyên AI đang bùng nổ. Theo Micron, nhu cầu về bộ nhớ đang tăng vọt qua từng làn sóng AI, trong đó Agentic AI đòi hỏi lượng bộ nhớ lớn gấp 30 lần so với suy luận AI thông thường.

Lộ trình phát triển DRAM và bộ nhớ HBM

Micron đang định vị tiến trình 1δ (1-Delta) làm bước đệm kế nhiệm cho công nghệ 1y hiện tại. Tiến trình này sẽ cải thiện mật độ bit thêm hàng chục phần trăm, tối ưu hóa chi phí và đạt mức kiểm soát quy trình ở cấp độ angstrom. Công nghệ này sẽ phục vụ cho các sản phẩm hiệu năng cao như HBM5, vHBM, vEIM, DDR6 và LPDDR6.

Dòng bộ nhớ LPDDR6 tập trung mạnh vào trung tâm dữ liệu và thiết bị di động, mang lại hiệu quả sử dụng năng lượng cải thiện hơn 35% so với LP5. Trong khi đó, DDR6 sẽ đóng vai trò chủ chốt cho máy chủ trung tâm dữ liệu với băng thông cao gấp đôi so với DDR5. Micron cũng chuẩn bị ra mắt các mô-đun RDIMM dung lượng lên tới 1 TB.

Đối với công nghệ HBM, Micron lên kế hoạch mở rộng sang ba dạng thiết kế gồm tiêu chuẩn, tùy chỉnh và dọc (vertical). Giải pháp vHBM sẽ xếp chồng bộ nhớ trực tiếp lên đế tính toán, mang lại quãng đường truyền tải ngắn nhất và tối ưu hóa băng thông trên mỗi watt cho các tác vụ AI. Hãng cũng đang phát triển các thế hệ HBM tiếp theo như HBM5, HBM5E và HBM6.

Lộ trình phát triển NAND

Ở mảng lưu trữ NAND, Micron hiện đang mở rộng sản xuất G9 và phát triển G11 làm thế hệ kế thừa với hơn 400 lớp cùng công nghệ kết dính wafer-on-wafer. Dự kiến NAND G11 sẽ đạt sản lượng thương mại vào nửa cuối năm 2027. Trên lý thuyết, dòng NAND mới này sẽ mang lại mật độ bit gấp đôi G9, tốc độ I/O nhanh hơn 1.5 lần và hiệu suất truyền dữ liệu cải thiện hơn 25%.

Thông qua các nút tiến trình tiên tiến, công nghệ kết dính lai và kiến trúc bộ nhớ ba chiều, Micron đang củng cố vị thế dẫn đầu trong việc cung cấp các giải pháp phần cứng tối ưu cho hệ thống AI từ trung tâm dữ liệu đến thiết bị biên.

FacebookTelegramX← Tin khác