Samsung bắt tay với TSMC để sản xuất đế nền cho chuẩn bộ nhớ NVHBM của NVIDIA

Samsung được cho là đang hợp tác với nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới, TSMC, để đảm bảo nguồn cung đế nền cho chuẩn bộ nhớ NVHBM mới được công bố của NVIDIA. NVHBM tích hợp bộ điều khiển vào ngăn xếp 3D HBM, nâng cao đáng kể hiệu suất và hiệu quả. So với HBM4E tiêu chuẩn, NVIDIA tuyên bố băng thông bộ nhớ cao hơn tới 30%, tiêu thụ điện năng HBM thấp hơn 15% và diện tích đế tính toán khả dụng trên đơn vị xử lý nhiều hơn tới 25%. Nói một cách đơn giản, NVHBM được xây dựng dựa trên kiến trúc HBM tiêu chuẩn với khả năng tùy chỉnh đế nền, nhưng có một vài yêu cầu nghiêm ngặt phải được đáp ứng trước khi sản xuất hàng loạt.

Đáng chú ý, một trong những yêu cầu là đế nền của NVIDIA trong NVHBM phải được sản xuất trên nút 3nm của TSMC. Mặc dù Samsung có dây chuyền sản xuất 3nm của riêng mình, IP của NVIDIA lại được tối ưu hóa cho các nút của TSMC. Điều này buộc Samsung phải hợp tác với TSMC và trở thành khách hàng, mặc dù họ có năng lực sản xuất riêng. Tuy nhiên, thỏa thuận này chỉ dành cho đế nền, phần được tích hợp trực tiếp bên cạnh các ô tính toán. Đối với bộ nhớ, Samsung sẽ tiếp tục sử dụng quy trình 10nm thế hệ thứ sáu của mình, vốn là tiêu chuẩn cho việc sản xuất HBM. Điều này có nghĩa là chỉ một phần quá trình sản xuất được xử lý bởi TSMC.

Samsung đã phát triển các công nghệ tiên tiến như HBM4E, có tốc độ bộ nhớ 16 Gbps mỗi chân. Sự phát triển này củng cố đáng kể niềm tin vào bộ phận Bán dẫn của Samsung, vốn đã giao hàng HBM4E với tốc độ 14 Gbps mỗi chân kể từ cuối tháng Năm năm nay. Tuy nhiên, việc Samsung tham gia tích cực vào việc triển khai NVHBM báo hiệu rằng khách hàng đang tìm kiếm các lựa chọn thay thế mạnh mẽ hơn. Xét đến mức cải thiện băng thông NVHBM 30% mà NVIDIA công bố, một NVHBM duy nhất về mặt lý thuyết có thể đạt khoảng 5,2 TB/s. Về mặt năng lượng, mức giảm 15% lượng điện tiêu thụ của HBM không chỉ cải thiện hiệu suất mà còn cung cấp thêm không gian nhiệt cho đế tính toán.