Micron từ bỏ thiết kế DRAM 4F² sau 20 năm nghiên cứu, chuyển hướng sang DRAM 3D

Micron đã quyết định không thương mại hóa DRAM 4F², mặc dù hãng cho biết họ đã phát minh ra thiết kế ô nhớ này và nghiên cứu nó trong khoảng hai thập kỷ.

Scott DeBoer, Chủ tịch kiêm Giám đốc Công nghệ và Sản phẩm của Micron, đã chia sẻ quyết định này trong buổi hội thảo trực tuyến về công nghệ của công ty vào ngày 21 tháng 10. Trên lý thuyết, 4F² sử dụng các bóng bán dẫn kênh dọc để thu nhỏ diện tích của mỗi ô nhớ khoảng một phần ba so với bố cục 6F² được sử dụng trong DRAM ngày nay. Tuy nhiên, DeBoer lập luận rằng mật độ thực tế bị giới hạn bởi mức độ đóng gói chặt chẽ của các tụ điện chứ không phải bởi diện tích ô nhớ, gọi lợi thế mật độ so với 6F² là "một chút hoang đường". Ông cũng cho biết 4F² có thể được chế tạo, nhưng với chi phí và độ phức tạp cao hơn, đồng thời nó gặp phải các vấn đề mở rộng cơ bản ở các nút tiên tiến, điều này chỉ ra hướng đi thay thế là DRAM 3D.

Điều đó đặt Micron vào thế đối lập với các đối thủ của mình. Cả Samsung và SK hynix đều đang phát triển các thiết kế 4F², và CXMT của Trung Quốc cho biết sản phẩm 4F² đầu tiên của họ sẽ là thanh DDR5 RDIMM dành cho máy chủ dự kiến ra mắt vào cuối năm nay.

Micron sẽ tiếp tục mở rộng quy mô 6F², với nút 1-delta dự kiến được đẩy mạnh tại Boise, Idaho, vào nửa cuối năm 2027 và nút 1-epsilon sau đó chuyển sang công nghệ ghép nối wafer. DRAM 3D đang được phát triển như một con đường song song, nhưng vẫn chưa có mốc thời gian cụ thể và Micron cho biết họ sẽ chỉ chuyển đổi khi các yếu tố kinh tế hợp lý. Đây là một canh bạc rủi ro nếu các đối thủ quản lý để sản xuất 4F² giá rẻ ở quy mô lớn, đặc biệt là khi nguồn cung bộ nhớ dự kiến sẽ còn thắt chặt hơn nữa vào năm 2027 và 2028, theo ước tính của chính Micron.