Lộ trình bộ nhớ mới của Samsung: HBM5 hướng tới gấp đôi hiệu năng, zHBM tăng 8 lần
Samsung vừa công bố lộ trình bộ nhớ tại SEMICON Taiwan 2026 với điểm nhấn là HBM5 và kiến trúc zHBM đột phá. HBM5 dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2028 với hiệu năng gấp đôi HBM4E, trong khi zHBM xếp chồng bộ nhớ trực tiếp lên vi xử lý để đạt hiệu năng thô gấp 8 lần.
Samsung đã trình bày lộ trình bộ nhớ cập nhật tại sự kiện SEMICON Taiwan 2026, trong đó HBM5 và kiến trúc zHBM sắp ra mắt là những tâm điểm chính cùng với việc đặt ra các mục tiêu và kỳ vọng đầy tham vọng. Theo Samsung, HBM5 hướng tới hiệu năng gấp đôi và hiệu suất trên mỗi watt cao hơn 20% so với HBM4E, đi kèm với việc giảm 20% điện trở nhiệt. Về những thay đổi, đế cơ sở (base die) chuyển từ tiến trình 4 nm được sử dụng trong HBM4 và HBM4E sang tiến trình 2 nm
🔗 Bài gốc (tiếng Anh): Samsung New Memory Roadmap: HBM5 Aims for 2x Performance, zHBM for 8x
Nguồn: TechPowerUp · Bản dịch tiếng Việt của VGSNews, chỉ để tham khảo.
Nguồn: TechPowerUp · Bản dịch tiếng Việt của VGSNews, chỉ để tham khảo.